歷史首次！三星使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利！韓專(zhuān)家：半導(dǎo)體快全面落后中國(guó)
PCIe5.0 固態(tài)已經(jīng)出來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間了，不知道各位同學(xué)都用上了沒(méi)？
就在近日，以往 SSD 的龍頭三星終于推出了自己的旗艦級(jí) PCIe5.0 固態(tài)，并且把自己的消費(fèi)級(jí)固態(tài)容量提升到了 8TB。
算是趕上了 PCIe5.0 首發(fā)的末班車(chē)。
與此同時(shí)，據(jù)韓媒報(bào)道，三星和國(guó)產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成合作，下一代 V10（第十代）NAND 顆粒將會(huì)采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合技術(shù)專(zhuān)利進(jìn)行封裝制造。
也就是說(shuō)在存儲(chǔ)行業(yè)的龍頭老大，向一個(gè)不起眼的對(duì)手取經(jīng)了，畢竟在去年的 Q2 季度，咱們的長(zhǎng)江存儲(chǔ)市占率還處于 Others。
估計(jì)看到這，很多電粉和阿紅一樣，腦袋都是「嗡」的一下，差點(diǎn)沒(méi)轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，國(guó)產(chǎn)咋一下這么厲害了。
NAND 閃存顆粒的發(fā)展史
想要知道具體原因，咱們還得做個(gè)簡(jiǎn)單的回顧：
老粉可能都相當(dāng)熟悉了，這里給新粉簡(jiǎn)單做個(gè) NAND 閃存顆粒的發(fā)展史。
眾所周知，咱們無(wú)論是手機(jī)、電腦都會(huì)用到的存儲(chǔ)，無(wú)論是板載芯片還是固態(tài)硬盤(pán)，都離不開(kāi)的就是存儲(chǔ)的 NAND 顆粒。
為了增加存儲(chǔ)容量，一開(kāi)始是在平鋪的浮柵晶體管晶圓層（存儲(chǔ)電子基礎(chǔ)單元）上想辦法，也就是咱們說(shuō)的 SLC、MLC、TLC、QLC 區(qū)別。
這就好比是小區(qū)中規(guī)劃房子多少的區(qū)別，SLC 只存儲(chǔ) 1bit 的數(shù)據(jù)，而 TLC 就可以存儲(chǔ) 3bit 的數(shù)據(jù)了。
也就是說(shuō)，越往后，相同面積下能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也就越多。
但讀寫(xiě)速度就跟送快遞一樣，面對(duì) SLC 這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)單元，很快就能送達(dá)或者收件，但越往后尋找難度就越大，投射到產(chǎn)品上就是讀寫(xiě)速度會(huì)越來(lái)越慢。并且因?yàn)榇鎯?chǔ)電子的狀態(tài)更多了，所以顆粒壽命也就隨之?dāng)嘌率较禄?/p>
但我們的存儲(chǔ)容量需求還在上漲，于是大伙兒就想出了另一個(gè)路子——蓋樓房
也就是一層 NAND 劃分到極限了，那就多整幾層，有更多的存儲(chǔ)單元。
這項(xiàng)技術(shù)由三星 2013 年重視快速發(fā)展的，并且于 2019 年搞到了 128 層 3DNAND，而同時(shí)期的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，也才剛剛投入 64 層。
三星就這樣一路蓋到了 9100 PRO 身上的 236 層。
而就在挑戰(zhàn)下一代 420-430 層的時(shí)候。自家CoP（Cell-on-Periphery）架構(gòu)扛不住了。
它本來(lái)是在單片晶圓上將外圍電路置于存儲(chǔ)單元下方，然后在上面逐層堆疊，但是隨著堆疊層數(shù)超過(guò) 400 層，下面的電路承受不了巨大的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力導(dǎo)致可靠性驟降，良率極差。
并且就算生產(chǎn)出來(lái)，產(chǎn)品的質(zhì)量也得打個(gè)問(wèn)號(hào)。
物理性質(zhì)不可能靠人的意志解決，走不通的三星就只好換個(gè)路子，找來(lái)找去就盯上了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的憑借「晶棧 Xtacking」后發(fā)制人的混合鍵合技術(shù)。
Xtacking技術(shù)
Xtacking 的特點(diǎn)是在兩片晶圓分別將存儲(chǔ)單元與外圍電路分開(kāi)制造，然后再通過(guò)晶圓對(duì)晶圓（W2W）鍵合。
好處是電氣性能提升，鍵合界面金屬互連間距縮短至 1μm 以下，電阻降低 40%，I/O 速度提升至 3.2Gb/s（三星原技術(shù)為 2.4Gb/s）。
散熱效率也優(yōu)化了，鍵合層熱導(dǎo)率提升至 300 W/(m·K)（傳統(tǒng)凸塊技術(shù)為 50 W/(m·K)），解決了高堆疊層的熱失效問(wèn)題。
更重要的是工藝復(fù)雜度降低了，減少了 20% 的光刻和蝕刻步驟。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是比你便宜還比你好，這你受得了嗎？
三星接下來(lái)規(guī)劃的 V10-V12 基本都繞不開(kāi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 技術(shù)，并且海力士也很有可能走三星相同的路，畢竟海力士在去年也宣布了下一代將要使用混合鍵合技術(shù)。
與此同時(shí)，根據(jù)韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）近期發(fā)布的「三大改變游戲規(guī)則領(lǐng)域的技術(shù)水平深度分析」簡(jiǎn)報(bào)，39 名韓國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)家進(jìn)行的調(diào)查顯示，中國(guó)在除先進(jìn)封裝以外的所有半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的基本能力都超過(guò)了韓國(guó)。
此時(shí)阿紅心里只有一個(gè)字：
結(jié)論
總的來(lái)說(shuō)，這次的事件證明咱們?cè)诳萍及雽?dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步是有目共睹的，三星是否會(huì)因?yàn)檫@次的專(zhuān)利費(fèi)而重新對(duì)固態(tài)行業(yè)價(jià)格進(jìn)行上調(diào)操作咱們還不得而知，固態(tài)能否回到 2023 年的白菜價(jià)也很難預(yù)測(cè)。
但是有國(guó)產(chǎn)廠商這條鯰魚(yú)，想必存儲(chǔ)價(jià)格趕黃金這種情況應(yīng)該不會(huì)再出現(xiàn)了。
本文編輯：@ 阿紅
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