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其實甭管 DDR4 還是 DDR5 咱們在選購時需要注意，決定它性能最重要的核心只有一個，那就是?DRAM 芯片，也就是我們常說的內(nèi)存顆粒。DRAM 芯片對于一整條內(nèi)存權(quán)重就好比顯卡的 GPU 核心，決定了內(nèi)存高頻（內(nèi)存超頻）潛力及大家熟知的內(nèi)存時序。

內(nèi)存時序是什么意思？

內(nèi)存頻率自然是越高越好，內(nèi)存讀寫性能也會越強。而內(nèi)存時序可以簡單理解為內(nèi)存操作響應(yīng)時鐘周期，它決定了內(nèi)存的延遲，時序越低延遲越低。

特別是很多對內(nèi)存延遲敏感的游戲，相同頻率不同時序的兩條內(nèi)存，其游戲性能表現(xiàn)往往差距會相當(dāng)明顯。

大伙兒呢只需重點關(guān)注?CL、TRCD、TRP 和 TRAS這四個時序參數(shù)即可，它們通常用符號「-」隔開。例如咱們經(jīng)常在內(nèi)存宣傳界面看到的 17-18-18-36 即代表該內(nèi)存的主時序。

DDR4內(nèi)存顆?！暗燃墶?/h3>

既然內(nèi)存顆粒是決定內(nèi)存性能的關(guān)鍵，老規(guī)矩依然給大家?guī)砹艘韵?strong>熱門 DDR4 顆粒排行：

如果非要用一句話概括：DDR4 內(nèi)存顆?？煞謨蓚€陣容，一個叫三星 B-die，一個叫其他。

特挑三星 B-die 是毫無疑問斷檔式領(lǐng)先，強大的超頻潛力與極低時序表現(xiàn)讓它穩(wěn)坐排行第一。3600MHz 頻率下 C14-14-14-28 只是它的基本盤，手動超頻也能輕松做到 4000+ 頻率 C15-15-15-35。

次一級的便是普通三星 B-die 顆粒，不過遺憾的是這倆老哥已經(jīng)于數(shù)年前停產(chǎn)。目前市面搭載此顆粒的內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)罕見同時價格高的離譜，不再具有性價比。

而普通用戶能正常買到表現(xiàn)還不錯的顆粒包括國產(chǎn)長鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及鎂光 C9 系列。這些顆粒普遍具備 3600MHz 頻率 C18-19-19-38 的基本盤，超頻也是能輕松做到 4000MHz 以上。

第三梯隊三星 C-die、三星 D-die、南亞 A-die 等顆粒，主打一個開 XMP 穩(wěn)定用，不再具備多少超頻潛力。至于更多其他名不見經(jīng)傳的顆粒，頻率、時序往往慘不忍睹，不提也罷！

因此總結(jié)來說，對于很多有一定動手能力的普通用戶來說，搭載第二梯隊的海力士 CJR/DJR、鎂光 C9 等顆粒的 DDR4 內(nèi)存無疑是性價比不錯的選擇。

同時，搭載這些顆粒的內(nèi)存廠家一般會標(biāo)注出顆粒型號，例如阿斯加特、光威、金百達(dá)、玖合等部分 DDR4 會直接標(biāo)明采用海力士 CJR 顆粒，很好辨認(rèn)。

沒詳細(xì)標(biāo)注的嘛，大概率采用混發(fā)顆粒，什么妖魔鬼怪都有，純粹看臉抽獎了！

另外，盡管品牌旗艦定位和丐版顯卡用料、散熱規(guī)模可以相差非常巨大，但只要采用了同一核心，那他們實際性能差異往往不會超過 5%。

不過哈，高性能內(nèi)存條有無金屬馬甲以及良好的導(dǎo)熱條件對性能發(fā)揮同樣比較重要。

內(nèi)存超頻方法

新內(nèi)存到手，很多小白用戶在上機檢查沒問題后便直接默認(rèn)開用，這其實存在一個很大的誤區(qū)。

而目前 DDR4 普遍支持?XMP（出廠前預(yù)寫入一套超頻文件），如果上機不開啟 XMP 相當(dāng)于白白損失性能。

XMP開啟方法

開啟方法也很簡單，咱們只需在開機時按 Bios 啟動快捷鍵進(jìn)入主板 Bios（御三家主板普遍為 Del 鍵，其他主板也可根據(jù)型號上網(wǎng)查詢）。然后在 Bios 主界面或高級選項中打開 XMP，最后按 F10 保存退出即可。

例如小憶手上的 16G*2 海力士 CJR 顆粒 DDR4 內(nèi)存，默認(rèn)頻率為 2400MHz，時序 C17-17-17-39。

開啟 XMP 后，頻率為 3600MHz，時序 C16-20-20-38，內(nèi)存電壓 1.4V。此時讀/寫在 53000-55000MB/s 左右，延遲 60ns 左右。

可以看到，內(nèi)存讀寫性能提升高達(dá)?40%?以上，同時延遲降低了?30%?以上。如果樂意動手對內(nèi)存超個頻還有更大提升。

手動內(nèi)存超頻

以我手上這塊華碩 B660 重炮手主板為例，進(jìn)入 Bios 后關(guān)閉 XMP，按 F7 進(jìn)入高級選擇，點開 Ai Tweaker 頁面；

然后調(diào)整內(nèi)存頻率，這個根據(jù)大伙兒內(nèi)存顆粒來選擇，如果是上圖第二梯隊顆?；旧?4000MHz 沒啥毛病；咱手中 CJR 顆粒經(jīng)過嘗試調(diào)整為 4200MHz；

下拉找到內(nèi)存電壓選項，手動設(shè)置放寬至 1.45V；

內(nèi)存電壓需根據(jù)內(nèi)存顆粒、頻率、時序和體質(zhì)來綜合選擇，常規(guī)內(nèi)存不建議超過 1.45V，過高電壓會導(dǎo)致發(fā)熱增加甚至燒毀風(fēng)險。當(dāng)然，三星 B-die 顆粒是出了名的相對比較耐高壓，可適當(dāng)放寬至 1.5V。

接著返回上拉找到內(nèi)存時序選項；

將第一時序放寬至 C19-22-22-42，并將 DRAM Command Rate 選項調(diào)整為?2N，其他選項不用動；

時序的調(diào)整同樣需要根據(jù)不同顆粒、頻率和體質(zhì)來決定，海力士 CJR 為了穩(wěn)定可以考慮設(shè)置為內(nèi)存電壓 1.45V、頻率 4000MHz，時序 C19-22-22-42。以上選項修改完成后按 F10 保存重啟。

當(dāng)然了，如果愿意花時間折騰，對內(nèi)存頻率、時序進(jìn)行優(yōu)化，同時壓緊第一時序后的小參，內(nèi)存性能和延遲表現(xiàn)提升還會更加明顯。

結(jié)語

電腦硬件如 CPU、顯卡、內(nèi)存條在合理范圍內(nèi)超頻，可獲得一部分額外性能的同時不會對硬件造成損壞。但需要注意，不僅是內(nèi)存超頻，任何超頻行為都會伴隨著一定風(fēng)險，因此對于小白用戶強烈建議多學(xué)習(xí)掌握相關(guān)知識后再進(jìn)行操作。

*以上內(nèi)容為小編個人看法，僅供參考！