臺積電前副總裁表示，美國阻止不了中國半導(dǎo)體向 5 納米邁進(jìn)
無視美國限制其技術(shù)進(jìn)步的制裁，中國的中芯國際（SMIC）和華為在芯片技術(shù)方面已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。前臺積電副總裁在接受彭博社的一次采訪中表示，SMIC 已經(jīng)擁有的 ASML 光刻設(shè)備，公司能夠?qū)崿F(xiàn) 5 納米級制造工藝。
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"美國無法完全阻止中國提升其芯片技術(shù)"前副總裁林本堅告訴彭博社。盡管美國通過制裁實(shí)施技術(shù)限制，但中芯國際表現(xiàn)出了顯著的韌性和創(chuàng)造力，開發(fā)了其第二代 7 納米級制造工藝，并且還取得了足夠高的產(chǎn)量，足以讓華為計劃提供 7000 萬部智能手機(jī)的計劃。中芯國際使用了 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 光刻工具，這是一種深紫外（DUV）光刻掃描儀，可以生產(chǎn) 7 納米和 5 納米級制程技術(shù)的芯片。今年早些時候，荷蘭政府還限制了這種設(shè)備對中國的出口。
Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38納米）足以用于 7 納米級單光刻工藝的量產(chǎn)。但是在 5 納米級制程技術(shù)方面，需要更細(xì)的分辨率。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，芯片制造商可以使用雙光刻、三光刻，甚至四光刻。這是一種光刻技術(shù)，涉及將復(fù)雜的圖案分成若干較簡單的圖案，然后依次打印，以在半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)更高的精度和細(xì)節(jié)。多光刻的使用是一個復(fù)雜的過程，會影響產(chǎn)量和每個晶圓上可以使用的芯片數(shù)量，因此通常由于經(jīng)濟(jì)原因?qū)е率褂檬艿较拗啤?/p>
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但受限于已經(jīng)擁有的工具，中芯國際別無選擇，只能使用多光刻來實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的分辨率。就是在這樣不利的情況下，它成功地達(dá)到了華為可以接受的產(chǎn)量。由此可見，美國對中國的半導(dǎo)體行業(yè)限制是沒有效果的。
前臺積電研發(fā)副總裁林本堅曾表示："美國真正應(yīng)該做的是集中精力保持其芯片設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)地位，而不是試圖限制中國的進(jìn)展，因?yàn)橹袊诓捎萌珖鴳?zhàn)略來推動芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，因此封鎖技術(shù)是徒勞的，而且會傷害全球經(jīng)濟(jì)"。
有趣的是，美國的制裁似乎無意中為中芯國際打開了機(jī)會之門。對臺積電施加的限制，禁止其與某些中國實(shí)體交易，使中芯國際得以介入并獲得大量訂單，這對中芯國際的芯片制造技術(shù)無疑是一個巨大的提升。
本文編輯：@ 小小輝
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